用万用表判断场效应管好坏的方法：

场效应管检测好坏(场效应管怎样检测好坏)

场效应管检测好坏(场效应管怎样检测好坏)

1、用测电阻法判别结型场效应管的电极。根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极；

2、用测电阻法判别场效应管的好坏。测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏；

3、用感应信号输人法估测场效应管的放大能力；

4、用测电阻法判别无标志的场效应管；

5、用测反向电阻值的变化判断跨导的大小。

有没有人知道如何测量场效应管好坏

怎样快速判断场效应管的好坏将指针式万用表拨至“RX1K”档，并电调零。场效应管带字的一面朝着自己，从左到右依次为：G（栅极），D（漏极），S（源极）。先将黑表笔接在G极上，然后红表笔分别触碰D极和S极，然后再对换表笔，再测，如这两次测得的结果，都使万用表的指针不动，那么，初步判断这个场效应管是好的。，在将黑表笔接在D极，红表笔接在S极上，此时，万用表指针应不动；然后再对换表笔，再测，此时，万用表指针应向右摆动。

经过这两次判断，这个场效应管就是好的。如果所测的结果与上述不符，则这个场效应管就是坏的。要么是击穿了，要么是性能不好了。

用万用表定性判断场效应管

一、定性判断MOS型场效应管的好坏先用万用表R×10kΩ挡（内置有9V或15V电池），把负表笔（黑）接栅极（G），正表笔（红）接源极（S）。给栅、源极之间充电，此时万用表指针有轻微偏转。再改用万用表R×1Ω挡，将负表笔接漏极（D），正笔接源极（S），万用表指示值若为几欧姆，则说明场效应管是好的。

二、定性判断结型场效应管的电极将万用表拨至R×100档，红表笔任意接一个脚管，黑表笔则接另一个脚管，使第三脚悬空。若发现表针有轻微摆动，就证明第三脚为栅极。欲获得更明显的观察效果，还可利用人体靠近或者用手指触摸悬空脚，只要看到表针作大幅度偏转，即说明悬空脚是栅极，其余二脚分别是源极和漏极。

判断理由：JFET的输入电阻大于100MΩ，并且跨导很高，当栅极开路时空间电磁场很容易在栅极上感应出电压信号，使管子趋于截止，或趋于导通。若将人体感应电压直接加在栅极上，由于输入干扰信号较强，上述现象会更加明显。如表针向左侧大幅度偏转，就意味着管子趋于截止，漏-源极间电阻RDS增大，漏-源极间电流减小IDS。反之，表针向右侧大幅度偏转，说明管子趋向导通，RDS↓，IDS↑。但表针究竟向哪个方向偏转，应视感应电压的极性（正向电压或反向电压）及管子的工作点而定。

注意事项：

（1）试验表明，当两手与D、S极绝缘，只摸栅极时，表针一般向左偏转。但是，如果两手分别接触D、S极，并且用手指摸住栅极时，有可能观察到表针向右偏转的情形。其原因是人体几个部位和电阻对场效应管起到偏置作用，使之进入饱和区。

（2）也可以用舌尖舔住栅极，现象同上。

场效应管有什么作用还有怎样来测量极性和判断好坏，放大倍数等场效应管的作用

1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。

2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

3、场效应管可以用作可变电阻。

4、场效应管可以方便地用作恒流源。

5、场效应管可以用作电子开关

1、先把万用表调至二极管测量档；

2、黑表笔接D（漏极），红表笔接S（源极），这个时候，正常的话应该有0.2~0.5的压降，万用表显示0.2~0.5之间数字；

3、黑表笔接S（源极），红表笔接D（漏极）这个是应该没有压降，万用表显示OL或1；

4、黑表笔接S（源极），红表笔点触G（栅极）后松开 ；

5、黑表笔不动，再用红表笔接D（漏极），应该有很小的电压降（万用表显示0.1左右的数字 那么这个晶体场效应管就是好的；

1、场效应管的检测方法：把数字万用表打到二极管档，用两表笔任意触碰场效应管的三只引脚，好的场效应管在量测的时候只应有一次有读数，而且数值在300--800左右，

2、如果在最终测量结果中测的只有一次有读数，并且为0时须万用表短接场效应管的引脚，

3、重新测量一次，若又测得一组为300--800左右读数时此管也为好管。

4、将万用表开到二极管档，用万用表的两个表笔量测D、S极和G、S极，看看两极之间的读数是不是很小，如果这个值在50以下，则可以判断为这个效应管已经被击穿

场效应管（Field Effect Transistor）又称场效应晶体管，是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管，[1]它属于电压控制型半导体器件。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。

场效应管具有输入电阻高（10 7～10 15Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和 功率晶体管的强大竞争者。

与 双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。

（1）场效应管是电压控制 器件，它通过V GS(栅源电压)来控制I D（漏极电流）；

（2）场效应管的控制输入端 电流极小，因此它的 输入电阻（10 7～10 12Ω）很大。

（3）它是利用多数 载流子导电，因此它的 温度稳定性较好；

（4）它组成的 放大电路的电压放大 系数要小于三极管组成放大电路的 电压放大系数；

（5）场效应管的抗 辐射能力强；

（6）由于它不存在杂乱 运动的电子扩散引起的 散粒噪声，所以噪声低。

场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的 电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。

在过渡层由于没有 电子、空穴的自由移动，在 理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的 强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。

MOS 场效应管电源开关电路

MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor,MOSFET)。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。场效应管的输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。

场效应管在二极管加上正向电压（P端接正极，N端接负极）时，二极管导通，其PN结有电流通过。这是因为在P型半导体端为正电压时，N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端，而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动，从而形成导通电流。同理，当二极管加上反向电压（P端接负极，N端接正极）时，这时在P型半导体端为负电压，正电子被聚集在P型半导体端，负电子则聚集在N型半导体端，电子不移动，其PN结没有电流通过，二极管截止。在栅极没有电压时，由前面分析可知，在源极与漏极之间不会有电流流过，此时场效应管处与截止状态（图7a）。当有一个正电压加在N沟道的MOS场效应管栅极上时，由于电场的作用，此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极，但由于氧化膜的阻挡，使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中（见图7b），从而形成电流，使源极和漏极之间导通。可以想像为两个N型半导体之间为一条沟，栅极电压的建立相当于为它们之间搭了一座桥梁，该桥的大小由栅压的大小决定。

C-MOS 场效应管（增强型 MOS 场效应管）

电路将一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组合在一起使用。当输入端为低电平时，P沟道MOS场效应管导通，输出端与电源正极接通。当输入端为高电平时，N沟道MOS场效应管导通，输出端与电源地接通。在该电路中，P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管总是在相反的状态下工作，其相位输入端和输出端相反。通过这种工作方式我们可以获得较大的电流输出。同时由于漏电流的影响，使得栅压在还没有到0V，通常在栅极电压小于1到2V时，MOS场效应管既被关断。不同场效应管其关断电压略有不同。也正因为如此，使得该电路不会因为两管同时导通而造成电源短路。

数字万用表：把场效应管有字一面面向自己，管脚从左向右分别为G D S。万用表用二极管挡。黑笔接S极 红笔碰一下G极。然后把红笔接D极会发现万用表有读数。则场效应管完好。这种方法只适合n沟道场效应管。而P沟道场效应管则红笔和黑笔对就行了。如没有万用表可以用直流电源测试，方法如下：用12V一下直流电都可以，首先电源负极接S极，然后正极接12v的电灯泡。灯泡另一端接D极，然后用一导线接电源正极，用导线接触一下G极。此时场效管S D极被触发导通，灯泡被点亮，如果用手同时接触G D S则S D极被关断，灯泡熄灭。这可以认为场效应管是好的。 手机打的好幸苦…………

根据MOS管的PN结正向和方向的电阻值不同来分辨！具体的作：根据所拿的MOS管电子元器件商家给出的阻值选择合适的电阻档，任意选择两个电极接入万用表，测量两个电极的正、反向电阻。如果得到的数字几乎是相等的，且数值偏大在几千，则说明选择的电极是漏极D和源极S，那么剩下的那个就是栅极G。

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用测电阻法判别场效应管的好坏

测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测

检测场效应管的好坏可用指针式表对场效应管进行检查。选择表的R100档，把黑表笔（电池正极）接栅极，红表笔分别接源极和漏极对场效应管进行充电；再将黑表笔接源极，红表笔接漏极，在源极栅极瞬时连接一个100千欧的电阻（或用手捏住源极和漏极）在接入电阻的一瞬间，可看到万用电表的的指针偏向0位，这时就可初略判断该场效应管是好的，不偏转则有可能是坏的。在试验前或试验后应将管子的3个引出极短路，防止附近的静电电压过高损坏晶体管。

方法如下：

1、结型场效应管和绝缘栅型场效应管的区别：

(1)从包装上区分 由于绝缘栅型场效应管的栅极易被击穿损坏，所以管脚之间一般都是短路的或是用金属箔包裹的；而结型场效应管在包装上无特殊要求。

(2)用指针式万用表的电阻档测量 用万用表的“R×lk”档或“R×100”档测G、S管脚间的阻值，若正、反向电阻都很大近乎不导通，则此管为绝缘栅型管；若电阻值呈PN结的正、反向阻值，此管为结型管。

2、用万用表电阻档判别结型场效应管管脚 一般用R×1k或R×100档进行测量，测量时，任选两管脚，测正、反向电阻，阻值都相同(均为几千欧)时，该两极分别为D、S极(在使用时，这两极可互换)，余下的一极为G极 由于绝缘栅型场效应管在测量时易损坏，所以不使用此方法进行管脚识别，一般以查手册为宜。

如何使用万用表来判断场效应管的好坏？不会的朋友可以来看看

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