化学机械抛光 (CMP) 是一種先進的製造技術，用於精加工半導體器件，例如積體電路 (IC) 和微電子機電系統 (MEMS)。

化学机械抛光（CMP）：一种精加工半导体器件的先进技术

CMP 的工作原理是將化學蝕刻與機械拋光技術相結合。化學溶液被引入抛光頭，與被抛光的表面發生化學反應，從而形成可溶性的物質。同時，拋光頭施加機械壓力，將可溶性物質從表面上去除，從而實現材料的平坦化和光滑化。

CMP 技術具有以下優點：

高精度和均勻性：CMP 可提供極高的精度和表面均勻性，滿足現代半導體器件對平坦表面和精細特徵的要求。 可控性：CMP 過程參數，例如壓力、轉速和化學溶液濃度，可以精確控制，以達到所需的材料去除速率和表面質量。 適用於各種材料：CMP 可用於加工各種材料，包括金屬、介電質和半導體，從而提高了器件設計和製造的靈活性。

CMP 在半導體行業中得到了廣泛應用，包括：

晶圓表面準備：CMP 用於平坦化晶圓表面，為後續光刻和沉積步驟做好準備。 介電質和金屬層的拋光：CMP 用于抛光介電質層，例如氧化物和氮化物，以及金屬互連層，例如鋁和銅。 矽基材的刻蝕：CMP 可用於刻蝕矽基材，形成具有精細特徵和高縱橫比的結構。

CMP 技術在不斷發展，以滿足半導體行業對更先進和高性能器件的要求。正在探索的新技術包括：

先進的化學溶液：正在開發新的化學溶液，以提高材料去除速率並提高表面質量。 無研磨抛光：無研磨抛光技術旨在消除研磨顆粒的使用，從而減少划痕和缺陷。 多頭 CMP：多頭 CMP 系統可以同時抛光多個晶圓，從而提高生產率和降低成本。