小爱给大家谈谈光刻胶是什么，以及光刻胶是什么成分应用的知识点，希望对你所遇到的问题有所帮助。

光刻胶是什么 光刻胶是什么成分

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1、光刻机（Mask Aligner) 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。

2、常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫 Mask Alignment System。

3、是指在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“”到硅片上的过程。

4、并不是单纯的激光，其曝光系统基本上使用的是复杂的紫外光源。

5、光刻机工作原理：光刻机通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误，将线路图成比例缩小后映射到硅片上，不同光刻机的成像比例不同，有5:1，也有4:1。

6、然后使用化学方法显影，得到刻在硅片上的电路图（即芯片）。

7、一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、激光刻蚀等工序。

8、经过一次光刻的芯片可以继续涂胶、曝光。

9、越复杂的芯片，线路图的层数越多，也需要更精密的曝光控制过程，现在先进的芯片有30多层。

10、一、接触式曝光（Contact Printi负性胶和正性胶边界漫射光形成的轮廓不同，负性胶由于曝光区间得到保留，漫射形成的轮廓使显影后的图象为上宽下窄的图像 ；而正性胶相反，为下宽上窄的图像。

11、ng）：掩膜板直接与光刻胶层接触。

12、曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率相当，设备简单。

13、接触式，根据施加力量的方式不同又分为：软接触，硬接触和真空接触。

14、2、硬接触，是将基片通过一个气压（氮气）往上顶，使之与掩膜接触。

15、二、接近式曝光（Proximity 扩展资料Printing）：掩膜板与光刻胶基底层保留一个微小的缝隙，可以有效避免与光刻胶直接接触而引起的掩膜板损伤，使掩膜和光刻胶基底能耐久使用。

16、三、投影式曝光（Projection Printing）：在掩膜板与光刻胶之间使用光学系统聚集光实现曝光。

17、一般掩膜板的尺寸会以需要转移图形的4倍制作。

18、特点：提高了分辨率，掩膜板的制作更加容易，掩膜板上的缺陷影响减小。

本文到这结束，希望上面文章对大家有所帮助。